напишите нам
Память DDR4 16Gb 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266B02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank Ret
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Характеристики Память DDR4 16Gb 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266B02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank Ret
PartNumber/Артикул Производителя:
SP016GBSFU266B02
Бренд:
SILICON POWER
Бренд:
SILICON POWER
Буферизация:
Unbuffered
Вес упаковки (ед):
0.035
Высота упаковки (ед):
0.012
Длина упаковки (ед):
0.174
Количество в упаковке:
1
Количество контактов:
260-pin
Количество рангов (Ranks):
Dual Rank
Латентность:
CL19
Модель:
SP016GBSFU266B02
Напряжение (тест):
1.2В
Объем:
16384
Объем одного модуля:
16
Объем упаковки (ед):
0.00012528
Показатель скорости:
PC4-21300
Пропускная способность:
21300
Скорость (тест):
2666МГц
Ссылка на сайт поставщика/вендора:
Https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта:
16
Тип:
Оперативная память
Тип памяти:
DDR4
Тип поставки:
Ret
Форм-фактор:
SO-DIMM
Частотная спецификация:
2666
Ширина упаковки (ед):
0.06
ед
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ:
0.174x0.06x0.012
Отзывы о Память DDR4 16Gb 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266B02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank Ret от реальных покупателeй
Отзывы не найдены
